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宋志棠研究员学术报告会

发布时间:2012-02-27|浏览次数:

题 目:相变存储材料及应用

主 讲: 宋志棠研究员

时间:2012年2月28日(周二)上午9:00

地点:会议中心第三报告厅

主办单位:材料科学与工程学院、新材料研究院

宋志棠研究员系上海微系统与信息技术研究所所长助理, 信息功能材料国家重点实验室副主任,他开辟了我国PCRAM纳电子器件的研究领域,在新材料、新结构、工艺研发、高频测试、理论和模型等方面开展了深入系统的工作,取得了一系列创新成果:搭建了纳米半导体薄膜制备、加工与表征平台(3000万),与中芯国际联合创建了8英寸,开展工业级PCRAM芯片研发平台的工程化技术开发,实现标准0.18μm /0.13μm CMOS工艺下的PCRAM芯片集成工艺,形成自主开发PCRAM芯片的技术能力。在此平台上,研制出Bit成品率99%以上的8Mb PCRAM试验芯片,并成功实现其音频的录放演示,芯片可实现读、写、擦全部存储功能。

近几年来,宋志棠研究员作为项目负责人,首席科学家承担了国家集成电路重大专项,“863”、“973”、国际重大合作、上海市重大等项目,完成国家与地方重大项目50余项、经费总额超过3.4亿;申请发明专利300多项(授权80余项),发表180篇论文中的10篇APL.文章被Nature Mat.,Nano Lett.等杂志引用500多次,撰写《相变存储器》专著一本。曾获国家科技进步一等奖、上海市科技进步一等奖和中科院杰出科技成就奖,国务院特殊津贴,新世纪百千万人才工程国家级人选,上海市领军人才,上海市青年科技启明星称号、上海市优秀博士后,上海新泰个人优秀奖,中国科学院优秀指导教师等多项荣誉。

欢迎全校师生参加!

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